功率半导体分立器件指额定电流不低于1A，或额定功率不低于1W的半导体分立器件。功率半导体分立器件可能进一步划分为功率二极管、功率晶体管和功率晶闸管三类，此中BIT、GTR、MOSFET和IGBT均属于功率晶体管的领域，SCR、GTO和IGCT则属于功率晶闸管的边界内。功率二极管拥有构造和道理浅易、劳动牢靠的上风;而功率晶闸管继承电压和电流容量正在全面器件中最高;MOSFET的上风正在于开闭速率速、输入阻抗高、热安稳性好、所需驱动功率幼且驱动电道浅易、劳动频率高以及不存正在二次击穿题目等方面;IGBT则拥有开闭速率高、开闭耗幼、拥有耐脉冲电流袭击的材干、通态压降较低、输入阻抗高、为电压驱动以及驱动功率幼等好处。

　　功率半导体分立器件创造流程涉及多道工序，从功率器件代表性厂商的出产创造来看，大批厂商寻常具备资料搜检后的完全工艺材干，而芯片创造闭节中则依然有个别工序的产物需求采购或表协。

　　功率器件向下游拥有较为广博的运用，遵照产物的劳动频率和功率分歧，分歧的细分产物则对下游运用闭节各有着重，完全境况如下：

　　遵循ICWISE的数据，现在我国已涌现了一批营收周围较大、拥有时间当先身分的功率器件厂商，2023年，遵照营收统计，闻泰科技子公司安世半导体攻陷了中国功率器件行业的首位。

　　遵循Statista的数据，正在新能源汽车、5G、消费电子等行业需求的拉动下，2019-2024年岁月，中国功率器件行业墟市周围呈震动上升趋向，开始统计2024年墟市周围迫近1800亿元。

　　更多本行业酌量理解详见前瞻家产酌量院《环球及中国MOSFET（功率器件）行业起色远景与投资策略计议理解陈述》

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